Mnogoemitternye транзистори (ТДПИ) са в основата на цифрова IC транзистор-транзисторна логика (TTL) .Imeya общ колектор и база MET съдържат до 8 излъчватели. MET и топология структура показана на Фиг. 60.
Фиг. 60. МЕС и топология структура
MEC функция работи, е, че във всяка държава, на колектор кръстовище верига винаги е отворена, и кръстовището на излъчвател може да бъде отворена или затворена. В този случай има три комбинации от състояния pn- кръстовища, ако всички преходи са видими емитер, транзистор в режим на насищане съществува и настоящите потоци, както е показано в (. Фигура 61 а) Ако това е значително по-малко, а от течения последователно с NE-колектор Passing включени съпротива, която е по-голяма от съпротивата. Ако емитер възел напрежение подава обратно от управление на мощността на сигнала, транзистор работи в обратен режим (фиг. 61 б). В този SLU чай ток се увеличава и общият ток на всички източници на емисии в съответствие с уравнението S-Ebers-Moll (2.4) ще бъде:
Фиг. 61. Комбинациите от състояния р-n-NE-Предаване
Тъй като отворен колектор възел напрежение, след уравнението на втория (отрицателно) Терминът е значително по-голяма от първата (положителен), така че в схеми емитер ще протече относително големи токове отрицателни консумирани от източниците на управляващи сигнали. За намаляване на тези токове, е необходимо да се намали коефициента на трансфер обратна на транзистора, което се постига чрез изкуствено увеличаване на съпротивлението на пасивна база. За тази цел на външната базовия извод, свързан към активната област на транзистора през тесен провлак (вж. Фиг. 60а) има съпротивление на 200-300 ома. Преминаващ през провлак база ток произвежда пад на напрежение върху него, така че директно напрежение на кръстовището на колектора ще бъде по-голям в пасивна база региона и по-малки в активната база. Следователно, инжектиране на електрони от колектора на база ще се случи главно в пасивна база (вж. Фиг. 60 б). Това увеличава дължината на пътя, изминат от електроните през основата, при което коефициентът на трансфер обратен намалява до 0.005-0.05.
Ако една от съседните канали открит и друга затворена (фиг. 61 в), ефектът на въздействие хоризонтален паразитни структури като н-р-N (вж. Фиг. 61 С), оформен съседни излъчватели и ги разделяне р-регион. Чрез тази конструкция ток протича от управляващите сигнали за потреблението на енергия, свързани към затворено прехода. За намаляване на паразитни транзистор ефект е необходимо да се увеличи разстоянието между съседните емитери 10-15 микрона.
Свързани статии