За добра работа на устройството, монтирано върху транзисторите, че е необходимо, че техните електроди бяха представени някои величина и полярност на постоянно напрежение. Примерните стойности на напреженията, прилагани към колектор, база и емитер на транзистора напред проводникова (р-п-р), показана на Фиг. 1, и обратното (п-р-н) на проводимост - на фиг. 2.
Също така трябва да се придържат към няколко основни правила:
- Оперативни напрежение, ток и разсейването на мощност транзистори използват трябва да бъде по-малко от пределно допустимите стойности.
- Вие не може да се приложи напрежение на транзистора, ако то е извън базата.
- База терминал трябва да бъде свързан към веригата през първата и последната изключен.
В съвременните конструкции бутове широко използвани полевите транзистори. Примерните стойности на напреженията Сигналите за FETs с канал тип р и п канал тип са показани на Фиг. 3.
Фиг. 1. Примерни стойности на напрежение, прилагани към колектор, база и емитер на транзистора за р-п-р напред проводимост.
Фиг. 2. Примерни стойности на напрежение, прилагани към колектор, база и емитер на транзистора обратна връзка на проводимостта п-р-п.
Фиг. 3. Примерните стойности на отклонение напрежения за FETs с knalom Фиг тип тип канал А.
При установяване на радио и други радиоелектронни дизайн на първо място да се измери консумацията на ток в режим на заспиване. Ако стойността му е близо до целта, след това продължава да се установят необходимите текущи колектори на транзистори. Включено. Схеми инсталация сайт показва напречно ( "х"), и резистор, който е направен - със звездичка ( "*"). Опитът показва, че за транзистори по-безопасно да се измери напрежението и не ток. В повечето от тези количества вериги са свързани помежду си. Достатъчно е да се знае, една от стойностите, а другият може да бъде определена чрез изчисления.
настройка на устройството, съгласно продукция каскади. Етапите на транзисторни устройства обикновено използва три основни начина да се кандидатства пристрастия напрежение към базата на транзистора.
Помислете за експлоатацията на етап транзистор с товарен резистор, без режим на стабилизация (фиг. 4). При липса на електродите следните входа транзистори първоначално напрежение:
Фиг. 4. Схема на етап транзистор с товарен резистор, без режим на стабилизиране.
В горните формули Ube пристрастие напрежение за германий и силициеви транзистори трябва да има стойности в съответствие с фиг. 1 и 2. От тези изрази е ясно, че стойността на резистор Rb зависи пристрастие напрежение Ube стойност и следователно първоначалната позиция на работната точка на характеристиката на транзистор.
На този етап по-добра работа има голямо влияние на точността, с която за даден транзистор като текуща печалба фактор р, съвпадащи импеданс резистори Rb и Rc. Етапът на работа може да се контролира с напрежението в целия резистор Rc или напрежението между колектора и емитера на транзистора. Знаейки Un и β, може да се изчисли степента на колекторния ток на транзистора шофиране с формулата:
Ако стойността на съпротивлението на резистора Rk = 500. 600 ома, напрежението в него е по-удобно да се дефинира като разликата между захранващото напрежение и напрежението на колектора - емитер. За ниска мощност ниска честота и високо напрежение транзистори колектор-емитер вземат 2. 2.5 V, и токоприемника - 0.5 mA. Транзистори MP39. MP41 имат максимален ток печалба, когато колектор ток от 1. 2 mA.
В P401 транзистори. P403, P416, и т.н. печалба нараства с увеличаване на текущата колектор 5. до 8 mA. От напрежение печалба на колектора по същество, независимо от сегашната, с подобрена неговата стабилност повишаване високи етапи честота. При смяна на транзистор в каскада с една стойност β на транзистора с отлична β стойност, необходимо, за да изберете стойностите на Rb и Rc отново. В транзистор амплификация с такава проста компенсира допълнение верига засяга транзистори разпръсват параметри също промяна на температурата на околната среда.
Това е по-стабилна в каскада с топлина схема за определяне показано на фиг. 5. В този случай, напрежението, измерена между колектора и плюс мощност се прибавя към напрежението в резистор R3, което е около 1 V.
Ако приемем, че напрежението между колектора и емитера може да бъде намалена до 1,5 V, тъй като стабилизира етап, общото напрежение между колектора и "земята", както първия случай, трябва да има не по-малко от 2,5 V. Тези режими са показателно, средно тяло в случай на транзистори. Етапите, където режими се различават от тези, препоръчани от 20 30%, на режима си на корекция на първия етап от изграждането могат да бъдат пропуснати.
настройка режим на работа на транзистора може да произвежда резистор Rb1, който е свързан към базата на транзистора. За увеличаване на колектор ток е необходимо да се намали съпротивлението на RB1 на резистор, и да се намали, а напротив, се увеличава. За удобство при настройка резистор Rb1 каскада се състои от два резистора: един константен и една променлива съпротивление 10. 30kOm.
Чрез промяна на съпротивлението на променливия резистор постигне желаното токоприемника. Омметър измерва получената устойчивост на двата резистора и след това спойка на мястото на съпротивление, чието съпротивление стойност е равна на измерената стойност на двата резистора.
Сегашната колектор в кръга на стабилизация може да се определи чрез измерване на напрежението в РС резистор. Ако разделим пада на напрежение (във волтове) от стойността на РС (в kiloomah), ние получаваме емитер ток в милиампера.
Фиг. 5. Схема на етап транзистор с товарен резистор за затопляне на режим настройка
Токът на колектора е по-малко от емитер ток на база текущата стойност, а вторите не надвишава 5% Іe. Следователно, можем да предположим, че аз = IB. В етапа с индуктивни товари без режим на стабилизация е равна на колектор напрежение захранващото напрежение е необходимо тук, и колектор текущия контрол (фиг. 6). Регулирането на такъв каскада също произвеждат избор стойност резистор Rb.
Фиг. 6. Схема етап схема при индуктивен товар, без режим на стабилизиране.
Включване в верига п-р-н и р-н-р транзисторите се различава само по полярност, а напрежението колектор офсет. Силиций и германий транзистори с една и съща структура се различават само стойност пристрастия напрежение. В силиций е около 0,45 волта голяма от тази на германий.
Фиг. 1 и 2 показват графични условни наименования за биполярните транзистори и други структури, произведени на базата на силиций и германий, както и типичния пристрастие напрежение. Електродите на транзистори отбелязани първите букви на думите, декодира:
пристрастие напрежение са показани по отношение на излъчвателя, но на практика на напрежението в електродите на транзистори показват относително често тел устройство.
Електронните устройства също използват шунки FETs, в която текущия контрол между два електрода, образувани чрез насочено движение на носители на заряд на дупки или електрони, произведени от електрическо поле, образувано от напрежението на електрода. Електродите между които текущата настройка се наричат източник (S) и канал (S), където източникът е електрод от които са разположени носители на заряд. Трето, контрол електрод, наречен порта (3) (вж. Фиг. 3).
Има полеви транзистори с изолиран порта. Тези транзистори имат много високо входно съпротивление и работят при много високи честоти. Транзистори от този тип са с много ниска електрическа якост на изолиран портата. За това е разпределението и провала на сравнително слаб статично електричество, което винаги присъства в човешкото тяло, облекло и инструменти.
В тази връзка, заключенията на полеви транзистори с изолиран порта по време на съхранението трябва да се обърне заедно голи проводници. трябва да бъде "заземен", когато Монт.рамо транзистори и инструменти. Предимството на полеви транзистори в сравнение с биполярно се състои във факта, че те имат високо входно съпротивление. Тази съпротива при ниска честота достига няколко мега ома и при средни и високи честоти, - няколко десетки или стотици кило-ома, в зависимост от серията. За сравнение, биполярни транзистори имат входно съпротивление от около 1 до 2 ома.
Литература: VM Pestrikov. Енциклопедия на аматьорски радио.
Свързани статии