LED или светодиод (LED LED Engl LED светоизлъчваща диодна ...) - полупроводников устройство с PN възел или контакт на метал-полупроводник, създаване на оптични лъчения чрез преминаване през нея на електрически ток. Излъчваната светлина е в тесен диапазон на спектъра, неговите спектрални характеристики зависят включително химическия състав на използвания полупроводника в него.

Чрез преминаване на електрически ток през р-п възел в посока напред, заредете носители - електрони и дупки - рекомбинират с емисия на фотони (поради преминаване на електрони от един енергиен ниво на друго).

Не всички полупроводникови материали ефективно излъчват светлина, когато рекомбинация. Най-емитери са полупроводници директно междина (т.е., такива, които позволяват директно оптични преходи честотна лента), тип А III B V (например, GaAs или INP) и II B VI (например, ZnSe или CdTe). Чрез промяна на състава на LED полупроводниковата могат да бъдат създадени за всякакви дължини на вълните от ултравиолетова (GaN) до средата на инфрачервения (PBS).

Диоди от полупроводников непряко междина (например, силиций, германий, или силициев карбид) излъчват светлина практика. Въпреки това, поради развитието на технологиите на силикона, работи усилено, за да се създаде на базата на силикон светодиоди. През последните години, високи очаквания, свързани с технологията на квантови точки и фотонни кристали.

Характеристиките на ток напрежение на светодиоди в посока напред е нелинейна. Диод започва да се провежда, тъй като определен праг на напрежението. Това напрежение позволява достатъчно точно определяне на полупроводниковия материал.

Фотодиод - приемник оптични лъчения [1]. който превръща инцидент на нейна фоточувствителна област на светлината в електрически заряд поради процесите в р-н-кръстовище.

В фотодиод, която се основава на фотоволтаичния ефект (отделяне на електрони и дупки в р- и п- региона, поради което се образува заряда и електродвижещата сила) се нарича слънчева клетка. Допълнителни р-п фотодиоди, има р-в фотодиоди, в която между р- и N- слоеве са нелегиран полупроводников слой и. р-п и р-в фотодиоди съединяващи само светлина в електрически ток, но подобряват, за разлика от фотодиодите на лавина и фототранзистори.

Под влияние на радиация кванти в базата данни се генерира свободни носители, които бързат да границата на р-н-кръстовище. Ширината на основата (п-област) е такава, че дупките не са имали време да се рекомбинират преди да се премести в р-региона. Токът на фотодиод се определя от носител ток малцинство - отклонение ток. Скоростта определя от скоростта на отделяне на фотодиод медии поле р-п-възел и капацитет р-п-преход Cp-п

Блоковата схема на фотодиод. 1 - кристал полупроводник; 2 - контакт; 3 - заключения; # 934; - потокът на електромагнитно лъчение; E - постоянен източник на ток; RH - натоварване.

Фотодиодът може да работи в два режима:

• фотоволтаична - без външен напрежение
• фотодиод - към външен обратно напрежение

• простота на конструкцията и технологията на производство
• комбинация от висока светлочувствителност и скорост
• малка база резистентност
• ниска инерция

• р-и-п фотодиод

• Шотки фотодиод (фотодиод Шотки) метал-полупроводник структура. При формирането на структура част на електроните да премине от метал за полупроводникови р-тип.

• Структурата на фотодиод на лавина се използва лавина повреда. Това се случва, когато енергията надвишава енергията на photocarriers на електрон-дупка двойки. Много чувствителни.

Лазерен диод - полупроводников лазер, построен на базата на диод. Неговата работа се основава на появата на инверсия на населението в прехода на р-н в инжектирането на носители на заряд

Лазерни диоди - критични електронни компоненти. Те са широко използвани като управляеми източници на светлина в оптични комуникационни линии. Те се използват и в различни средства за измерване, като например лазерни далекомери. Друга често срещана употреба - четене на баркодове. Лазери с видима светлина, обикновено червено, зелено и понякога - в лазерни показалки, компютърни мишки. Инфрачервените и червени лазери - в CD-плейъри и DVD-ROM диск. Violet лазери - устройства в HD DVD и Blu-Ray. Сините лазери - в ново поколение проектори като източник на синя светлина и зелено (флуоресценция, произведени в резултат на специален състав под влиянието на синя светлина). Възможностите за използване на полупроводникови лазери за бързи и евтини устройства за спектроскопия.

До момента, в разработването на надеждни полупроводникови лазери в CD плейъри, баркод четци, разработчиците са били принудени да се използва малък хелий-неонов лазер.

характеристика на ток напрежение на диод тунел. В обхвата на напрежение от U1 да U2 е отрицателно диференциално съпротивление. Конвенционалните диоди с напрежението увеличават монотонно увеличаване на ток преминава. диод тунел е квантово-механична тунелиране на електрони добавя гърбица в напрежение ток характеристика, а поради р високо ниво на допинг и п регионите, разпределението на напрежението намалява почти до нула. Ефектът на тунел позволява електрони за преодоляване на бариерата енергия в ширина преходна зона с 50..150 Å при тези напрежения когато групата проводимост в п-регион е равна на енергийните нива на региона на валентността, р-тип. [1] В по-нататъшно увеличаване на напрежението на нивото на Ферми п разположена област по отношение на р-област, която пада върху лента празнина р-тип регион, и тъй като тунелиране не могат да променят общия електронна енергия [2]. вероятността за преход на електрон от п-регион в р-региона пада рязко. Това създава прав участък на характеристиките на сегашното напрежение на частта, където увеличението на напрежението е придружен от намаляване на тока. Този регион на отрицателно диференциално съпротивление и се използва за усилване на слаб микровълнов сигнал. Най-широко използвани в практиката получи тунелни диоди Ge, GaAs и на GaSb. Тези диоди са широко използвани като високочестотни комутатори и генератори, те работят на честоти много пъти по-високи от честотата на работа tetrode, - 100-30 GHz.