Структурата и свойствата на метал-полупроводник зависи преди всичко от относителното положение на нивото на Ферми. Това определя което първичното средство за трансфериране електрон ще се появи веднага след образуването на контакта. Ако нивото на Ферми, например, в един полупроводник, се намира по-високо от метал, тогава вероятността за заемане от електрони с ниво на енергия Е в полупроводника по-голяма от едно и също ниво в метала. Ето защо, електроните с енергийните нива при полупроводници ще се преместят безплатни нива на енергия в метала.
Фиг. 6.25 показва лента схема на метал и п-тип полупроводници преди и след образуването на контакта.
Да предположим, че нивото на металната EFM Fermi намира под нивото на Ферми EFP полупроводника на. т.е. FM> FP. За да Electron прехвърля от метал към долния ЕК на проводимата зона. той трябва да преодолее потенциалната бариера
Електроните от полупроводника besprepyat неправителствена могат да се движат в метала. Поради това, в първия момент на контакт на потока от електрони от полупроводника надвишава потока от електрони от метал. В резултат на това на метала в региона на контакт придобива отрицателен заряд. На полупроводника възниква обемни положителни заряда фиксирани йонизиран донор примеси атома. В контакт електрическо поле ЕО. която пречи на предаването на електрони от полупроводника в метала. Насочен поток от електрони ще се проведе преди, докато нивата на Ферми в системата не са равни. В този случай нивото на Ферми в полупроводника се измества надолу по отношение на нивото на Ферми на метала. Енергия контакт диаграма става, както е показано на фиг. термодинамично равновесие на системата е установено, характеризираща се с даден контакт потенциална разлика VR и равенство термионични течения емисии.
Но в този случай, катод емисии не се случва във вакуум, а от полупроводници за метал и метал за производството на полупроводници. Ето защо, тя се характеризира с ценностите на: # 966; М - енергия да се предава електрон своята преходен метал с нивото на Ферми в долната част на лентата проводимост в насипно полупроводника; Jn = ОП - # 967; P - енергия да се предава електрон на прехода си от дъното на лентата проводимост в насипно полупроводника директно в метала. След това можем да пиша, за да можете да се свържете с текущото салдо:
Ясно е, че чрез подаване на такъв контакт външно напрежение, може да се променя височината на потенциал бариера и да се контролира потока на електрони през кръстовище, т.е. той е ректификация свойства.
А сега да разгледаме случая на метален контакт с полупроводници от р-тип, на AF> FM. Енергийна метал и полупроводникови схеми преди и след образуването на контакта е показано на ris.6.26. В този случай, първата точка на контакт на металния поток надвишава електронен поток от електрони от полупроводника. В резултат на това на метала в зоната на контакт, за да се сдобие с положителен заряд. В един полупроводник, отрицателен заряд свободни електрони. В контакт настъпва RE-кал поле ЕО. който предотвратява повторното движат електрони от метала на полупроводника. Насочен поток от електрони ще се проведе преди, докато нивата на Ферми в системата не са равни. В този случай нивото на Ферми в метала се измества надолу по отношение на нивото на Ферми на полупроводника. енергийна схема на контакт ще бъде под формата показана на ris6.26b. термодинамично равновесие на системата е установено, характеризиращ се чрез контакт потенциална разлика VR и катод уравнение течения емисии:
Големината на контакт потенциална разлика ще се определя от (6.17). Появиха потенциал бариера, както и преди, води до огъване на енергийни групи в полупроводник, но в този случай възниква огъване надолу. Така валентност лента се отстранява от ниво ПЕФ на Fermi. посочва намаляването на концентрацията на превозвачите мажоритарните такса - в близост до отворите за контакт и да се увеличи устойчивостта на контакт от региона на полупроводници. Точно както по-горе, ние получихме контакт, който е ректификация свойства.
Смятан контакти наречени Шотки контакти.
Свързани статии