В MOSFET има такава функция, че увеличението на ток през канала и увеличава съпротивлението на канала се дължи на отслабване на полето в него.
Особено рязко покачване започва, когато токът надвишава стойността на пулсиращ Drain течение. MOSFET включени в режим на насищане, когато нарастването на напрежението не е съпроводено от значително увеличение на тока.

Формално, производителят гарантира запазване на основните параметри само при условията на номограмата "Безопасно Работно пространство".
Всичко над това - имате нужда от дълъг и досаден опит с набор от статистически данни.

Отоплението на единичен импулс на кристал се разглежда като нещо като това:
# 916; т = к * RJC * (EI / ти)
Къде.
- К - коефициент, получен от пресечната точка на линиите "единичен импулс" графика "Thermal импеданс" съответните стойности от време. Строго погледнато, приблизителния график за продължаване на линията на лявата граница (10mks за IRFP460) е невъзможно: има нелинейна пренос на топлина. Но ако наистина искате, можете да (да отпечатате и да завърши с молив). За очевидно най-лошия случай, можете да вземете екстремна стойност, без да се излиза от графиката (0,007 до IRFP460)
- RJC (Rthj случай) - термична устойчивост възел случай (0.57 ° C / W за IRFP460)
- Ei - енергия на импулса. J.
- ти - продължителност на импулса, с

Пример 1 MJ 100 НЧ и IRFP460:
# 916; т = 0,007 * 0,57 * ((1e-3) / (100e-9)) = 39,9 °
Въпреки, че в продължение на 100 НЧ к фактор трябва да бъде изрично по-долу; точно по този начин в пет, ако не и повече.

Вземи multiampere submicrosecond токов импулс може да попречи на монтаж и индукционни елементи. Той със сигурност ще бъде там?

Пролет> Forward напрежение до ключ (отворен), за да се направи невъзможно, да пропуснете само определен ток, който ще даде на това напрежение.
За него, както и речта. Въпреки това, когато напрежението на насищане MOSFET върху него може да достигне на разбивка лавина.

Пролет> Но shitah е стойност в джаули, които не се превеждат в волта и ампера, като Няма информация за часа.
За вашия случай тази стойност е безполезна. Това е полезно, когато искате да се направи оценка на годността на транзистора за улавяне на емисиите на енергия от индуктивности в затворен начин.

неон
Има основно индуктивно улов при ниски токове и дълга продължителност.

Spring> вариант напрежение в Номограмата се дължи на условията на управление (naprugi порта) или повече от?

Това не е съвсем на разпространението. Разпадане:

На ток Y-ос чрез ключа, на ос X - стреса върху клавиша.

Сивата зона в горния ляв недостижима поради ограниченото съпротивлението на отворен канал MOSFET.

Белият областта на правото - ограничаване на напрежението на частния ключ (500V).

Синята линия - ключът е напълно отворени, типичен директен канал ток напрежение характеристики на резистор. Dorisoval завой в горната част - наситеността на ключа.

Зелена зона - работа гв в линеен режим. Горния десен ограничено загрява на 250 вата.

Жълто - работа с единични импулси, с която топлината по-голяма от 250 вата. Право показва продължителността на импулса. Ограничение - прегряване на кристала.

Orange - работа с единични импулси с ниска (по-малко от около 1mks) продължителност. Трябва да се избягва.

Областта с червен цвят - ограничаване на насищане ток ключ, когато твърде много власт освободен. Възможна повреда или влошаване на ключа.

(Номограмата абстрактно на транзистора, е взета от фиша ST на IRFP460, но това не му допадна на съпротивление на канала, с други производители на фиш - верни данни)

Пролет> Тази стойност показва колко енергия може да shavat ценерови диод в даден момент и да не се задуши?
Аха. Ако допълнителните условия: без превишаване на "лавина в момента" ток и отопление на кристала е не по-висока от "Max Работна Junction температура.". И всъщност, за един и същ определен IRFP460 20A, че при 500 ще даде 10 кВт. Това в повече или по-малко непрекъсната работа не може да издържи дори термична устойчивост възел-случая (# 916; т = 5700 ° - какво?).

Пролет> Благодаря ви за подробно обяснение.
Моля. Аз също научих много нови, полезни.