Както бе споменато по-рано, компютърът работи с бинарна система (логическа 0 и 1). Следователно, клетката памет може да бъде в две състояния. За клетъчна памет кондензатор на динамична памет може да бъде или зареждат и разреждат.

памет клетки, подредени в матрица. съдържащ определен брой редове и колони на множествена тандем в целия степента, например:

• 1024 г. - февруари 10;
• 2048-11 февруари;
• 8192-13 февруари и т.н.

Matrix размер на паметта на 1024x1024 може да бъде описан като 10 февруари x2 10. (1024 редове и колони 1024), но за опростяване на писането, за да бъдат уточнени само степен: 10x10.

Матрицата може да бъде симетричен (броят на редовете и колоните на същите) и Асиметричните (броят на редове и колони различни).

Asynchronous динамична памет

Първоначално процесът на достъп до паметта е "само по себе си", без никакво "щракване" към останалата част от компютърната система. Този режим на работа се нарича асинхронен режим, а паметта се нарича - асинхронен динамична памет. Механизмът на асинхронно динамично памет е доста проста, но броят на закъснения в работата си беше страхотно - това е невъзможно да се каже точно кога системата ще работи и кога ще бъде свободен. В персоналните компютри, използвани от няколко вида асинхронно динамично памет.

FRM (Fast Page Mode) използвана памет на системите за XT-тип, 286, 386, 486, първоначалните модели Pentium. FRM минимално време достъп до паметта е 60 НЧ.

Memory EDO (Extended Дата Out) - е било предложено друго данни контрол алгоритъм се извежда на автобуса, но ускорението се постига само в режим на информация прочетете.

BEDO памет (Burst EDO) - VIA фирма развитие, която е приложена при някои чипсети тази компания и не се използват широко.

Синхронна динамична памет

Speed ​​асинхронна памет се изчерпа доста бързо - 70..75 MHz честоти станаха й граница. нов принцип на организация на паметта замества асинхронен режим, наречен синхронен режим.

• дължина на всички времеви интервали са строго фиксирани;
• всички действия се извършват след определени интервали от време;
• модул памет включва вътрешен елемент поколение честота, работещи на честота на системата, или кратно на това;
• Продължителност на интервали от време, измерени в честотата автобус удара памет; Те са ангажирани в специален контролер броячи памет;
• работа памет се провежда на двата края на часовник сигнал (положителни и отрицателни), т.е. чрез poltakta;
• възможно данни за пакети; реди на опашка за достъп до масива на заявките; Той поддържа множество режими на регенерация;
• Тя организира две независими физически масив, състояща се от 4 логически банки всяка. Паралелно призив към две различни логически банки логически масиви, което значително увеличава производителността на синхронна динамична памет.