В аморфна полупроводника
Аморфни полупроводници са произведени като тънки слоеве на субстрата чрез пръскане или утаяване. Ако температурата на субстрата е ниска, попадаща върху него атомите не разполагат с достатъчно енергия, за да се движат (миграция) и не могат да се подредят в кристалната решетка. В резултат на това, филмът, образуван от некристалинен структура, характерна черта на което в сравнение със стъкло е липсата на омекотяващ ефект. В процеса на нагряване на материала при определена температура промени от твърд не-кристално състояние в кристално състояние. [1]
Аморфни полупроводници имат относително bopshoy константи еластичност решетъчни. Следователно, в структурите на каскада тип, направени от аморфен полупроводников материал, еластичните напрежения в решетката е относително по-ниски, отколкото в кристални материали на основата на елемента. [3]
Аморфни полупроводници се използват като тънкослойни оптични вълноводи, оптични превключватели и оптични модулатори. Описани главно оптичните вълни явления, възникващи по време радиация с дължина на вълната 10 юни микрона бомбардирани аморфни Se филми покрити със злато. [4]
Аморфни полупроводници притежават редица уникални свойства. Така например, те имат ясно изразен ефект електрическо превключване на високо състояние на устойчивост на ниско съпротивление и обратно. [5]
Аморфни полупроводници са привлекли много внимание поради относителната лекота на синтез. Въпреки това, те в момента имат ниска чувствителност, както и изучаването на тези медии, на първо място трябва да бъдат насочени към повишаване на чувствителността към записа. [6]
Аморфни полупроводници са особено изследвани подробно в случай на използването им в електрически вериги като ключове. Операционната принципа на елемент памет на електрическото поле в аморфна полупроводника е, че след премахването на прага на напрежение на състоянието на висока проводимост се съхранява. Ето защо, при последващото напрежение заявление не се нуждае от време, за да се включи сам. [7]
Аморфни полупроводници икономически изгодно, тъй като тяхното производство изисква внимателно контролирани методи за отглеждане на кристали. Апарат за аморфен Semiconductors са широко използване. [8]
Аморфни полупроводници имат относително bopshoy константи еластичност решетъчни. Следователно, в структурите на каскада тип, направени от аморфен полупроводников материал, еластичните напрежения в решетката е относително по-ниски, отколкото в кристални материали на основата на елемента. [10]
Аморфни полупроводници се използват като тънкослойни оптични вълноводи, оптични превключватели и оптични модулатори. Описани главно оптичните вълни явления, възникващи по време радиация с дължина на вълната 10 юни микрона бомбардирани аморфни Se филми покрити със злато. [11]
Ковалентни аморфни полупроводници все още са разделени на два класа. Първият клас включва материали с ориентирани четиристенните връзки, като елементите, Si, Ge и съединение А1 BV. Тези материали могат да бъдат получени само в аморфна фаза чрез вакуумно отлагане на тънки слоеве. [13]
Използването на аморфни полупроводници изглежда обещаващо, особено при производството на фотодатчиците. [14]
За аморфен полупроводникови при ниска температура може да има решаващо значение LD и средният свободен пътеката е много по-малко от кристали при същата температура. [15]
Страници: 1 2 3 4
Сподели този линк:
Свързани статии