16 m -3. Специфична електрическо съпротивление на силиций
При използване на единичен кристал силиций полу-производство Vodnikova появят големи загуби на ма-материала. Това се дължи на факта, че повечето полупроводникови устройства, базирани на процесите, които протичат в много тясна-дроб-гранични или повърхностните слоеве на полупроводника. Останалият обем на единичния кристал е част от паразитни и често влошава параметрите на устройството. Повечето от материала се губи по време машинно слитък (рязане на плочата на тънък-ке, лакиране и т.н.).
За да се намалят тези загуби в про-дането полупроводникови силиций единичен кристал се използват под формата на тънки слоеве, които се отлагат на насипни единични кристали, които по-субстрат за свързване.
Такива монокристални слоеве запазване на кристалографска ориентация на субстрат-чески по epitaksialnymi. субстрати Ка-отличие използват единични кристали от силиций, сапфир, съвместно Rund и сътр.
В зависимост от характера на влиянието на вида на проводимост на примеса разделен на неутрален донор акцептор и създаване на ограничена зона силициеви дълбоките нива на енергия.
Чрез неутралните примеси включват силиций, водород, азот, инертни газове, както и елементи от група IV на периодичната система на елементите, хи-радикално Менделеев (германий, калай, олово).
Основните донори примеси са елементи от група V на периодичната система на химичните елементи D.I.Men-leyev (фосфор, арсен, антимон, бисмут).
Тъй като примес акцептор на силиций е основно използван група III елементи на Периодичната таблица на Chemic кал елементи Менделеев (бор, алуминий).
Елементи I, II, VI, VII gpypp създават ограничена зона силициеви дълбоките нива на енергия и могат да бъдат донори и акцептори. Като такива примеси често се използва злато и цинк. При употребата на допинг със злато в крем-SRI образува допълнителни центрове за заплащане носител на рекомбинация, като по този начин намаляване на жизнения цикъл на nonequilibrium превозвачи такса.
Допинг на силиций, произведени в процеса на получаване на обем-нето на единични кристали и епитаксиални филми.
Реакцията на силиций с други материали зависи от температурата. Кристален силиций при ниски температури, химически инертен при стайна температура, е химически мустак-Teutsch. Когато се нагрява до температура от 700 ° С 200. Той е свързан etsya с халогени да образуват силициеви халогениди (SiQ4. SiJ4. SiBr4. SIF и др.).
В въздух чрез нагряване до температура от 900 ° С силициев мустак-Teutsch, над температура 900 ° С се окислява с интензивно-мация на силициев диоксид. При температура 1100. 1300 ° С силиций взаимодейства с азот, за да се образува силициев нитрид SI3 N4. и въглерод да се образува силициев карбид SiC.
Основната характеристика на всяка диелектрична процес се получава, когато се подлага на електрически напрежение е поляризация - ограничен обем свързани такси или ориентацията на молекулите на дипол.
На явления, причинени от диелектрична поляризация, може да се съди от стойността на диелектрична константа и диелектрични загуби, диелектрична поляризация, ако са придружени-даден разход на енергия, което води до диелектрик отопление. Техническата диелектрик отопление може да участва в него няколко безплатни такси условно количка проникване под въздействието на електрически напрежение през малък ток, протичащ през дебелината на диелектрика и това е повърхност. След като обясни феномена на ток през електро проводимостта диелектрик технически числено характеризира с насипни стойности на специфичната електропроводимост и специфична повърхност електропроводимостта на не-PATH съответните стойности на специфичния обем и повърхностно съпротивление.
Всеки изолатор може да се използва само, когато напрежението-zheniyah не повече от пределно допустимите стойности, характерни при определени обстоятелства за него. В напрежения по-високи от тези гранични стойности появява предварително диелектрик разбивка - пълна загуба на техните диелектрични свойства.
стойността на напрежението при който настъпва диелектрик разграждането се нарича разпределението на напрежението, и съответната интензивност chenie znĂ неравномерно външно електрическо поле - диелектрична якост.
Свързани статии