Нови транзистори OptiMOS ™ Linear БНТ съчетават ниско съпротивление R DS (на) и разширен безопасно работната зона

Infineon Technologies пусна нова серия от транзистори OptiMOS TM Linear БНТ. Новото семейство съчетава най-добрите в класа ON съпротивление (R DS (на)) като един окоп MOSFET и разширена безопасен работен кът, присъщи на MOSFET плоския. Нови транзистори представляват компромис между ниска R DS (на) и наличието на MOSFET транзистори работят в линеен режим. OptiMOS TM Linear БНТ може да се управлява в региона на насищане с режим Подобрение на MOSFET канал.

Това е идеално решение за устройството "гореща замяна", електронни предпазители и защитни приложения, обикновено използвани в областта на телекомуникациите и системи за управление на батерията (системи за управление на батерията (BMS).

В допълнение, стабилна линейна работа и висока импулсен ток, може да намали загубите при превключване, за да се ускори работата и намаляване на времето за прекъсване на връзката на оборудването. Транзистори OptiMOS Linear БНТ предотврати късо съединение повреда на товара, което се дължи на пусковия ток ограничаване.

Сравнение на безопасно операционна площ:

ON съпротивление е по-малко от 58%, в сравнение с най-близкия алтернатива:

Асортимент транзистори OptiMOS TM Linear БНТ 100 семейства с работно напрежение, 150 и 200В