В зависимост от фаза, от която се отглежда кристала, разграничават четири методи за получаване на кристали:

2) От течната фаза

3) От разтвор на хидротермичната

4) Използване на реакции в твърда фаза

кристален растеж от газова фаза

Съществуват три начина за получаване на кристали от газовата фаза: чрез сублимация на веществата от химични реакции в реакциите на газ и химически транспорт. Помислете за всички тези методи.

сублимация

Ако веществото е с високо налягане на парите и изпарените без разлагане, неговите кристали могат да бъдат получени чрез сублимация. Разнообразни метод регистрация хардуер: система поток с помощта на инертен газ - носител; затворени системи (често запечатани кварцова тръба) е отделено и напълнени с газ.

Веществото се изпарява в зона и се кондензира в зона В, където парата се дължи на ниската температура става свръхнаситена. Ако температурният градиент е голям и движението на материалите е неограничен, това обикновено води до много активни центрове. Поддържане на зародишен кристал в такива случаи не е ефективен. Но много от ядра, образувани в началото, по време на един растеж превъзхождат други, така че резултатът е няколко големи кристали на поликристален база. Този много прост вариант сублимация използва за отглеждане на кристали на кадмий сулфид, цинков оксид (в поток и затворени системи) и силициев карбид (система поток).

Недостатъкът се крие във факта, че най-големите кристали в процеса на растеж достигат до горещата зона и по-нататъшно увеличаване на техните спирки. За да се избегне това, контейнерът с нарастващото кристал се премества по отношение на пещта при скорост приблизително равна на скоростта на кристалния растеж. Този метод се нарича "разтягане от парната фаза." Тя има допълнителното предимство, че кристалът расте при постоянна температура.

Химическите реакции в газова фаза

В гореща зона на реакционния съд химическата реакция може да се случи, ако се прилага самостоятелно или заедно кристални компоненти и летливи съединения. При достатъчно висока температура в тази зона, когато парата е ненаситен спрямо твърдата фаза, образувана, кристализацията се извършва на относително студени части на системата.

условия на отглеждане наподобяват тези вече споменати по-горе. Прилагането на този метод може да се види в отглеждането на кадмий сулфидни кристали от смес от водород, сероводород и кадмий. Допинг се осъществява чрез добавяне на газ - пара примес компонент носител. По този начин те се получават кристали на кадмий сулфид легиран със следните компоненти: галий, индий, сребро, антимон, хлор.

Както е посочено, растеж на кристал при постоянна температура и насърчаване на нарастващата кристал от горещата зона, очевидно позволява да се получи по-хомогенни и големи кристали. Въпреки това, този метод не е бил използван за получаване на единични кристали.