6.3. Ефектът на субстрат пристрастие
Помислете как се променя характеристиките MISFET когато се прилага напрежение между източника и субстрата. Имайте предвид, че приложеното напрежение между източника и субстрата при условие че канал инверсия е инцидент на изчерпване област индуцирана р-п възел на.
В този случай, когато напред пристрастия ще бъде значителни токове, съответстващи на директните течения на р-н кръстовище. Тези течения попадат в схемата за източване и на транзистора няма да работи. Следователно, субстрат напрежение се използва само, съответстваща на обратната пристрастия на източника и индуцирана р-п възел. Според полярността на това напрежение е с обратен знак на субстрата в сравнение с напрежението изтичане. Когато канал-субстрат напрежение се прилага се разширява SCR и увеличаване на таксата от йонизирани акцептори:
Тъй като напрежението на гейта VGS е постоянен, константа и таксата за MISFET порта QM. Следователно от електронеутралност уравнение следва, че ако зареждането на акцептор в QB на изчерпване слой се увеличава, електрони, отговарящи канал Qn следва да намаляват. От тази гледна точка, субстратът служи като втори MISFET порта, както и контролира съпротивление инверсия канал между източник и източване.
С увеличаване на такса акцептор в изчерпване слой и увеличаване на прага на напрежение VT на транзистора. както се вижда от (6.3). Промяната в прага на напрежение е равно на:
От пристрастия субстрат причинява само при смяна на праг на напрежение VT на. преходни характеристики на MISFET при различни напрежения субстрат VSS се изместват успоредно един на друг. Фигури 6.6, 6.7 показва ефекта на субстрат отклонение на втулката и преходно отговор.
Фиг. 6.6. канал Ефект субстрат пристрастие напрежение VSS за съобщаване на характеристиките на транзистора в VDS = 0,1 гладка канал B
Фиг. 6.7. Преходни характеристики MISFET при нулево напрежение канал към субстрат отклонение (плътни линии) и при напрежение VSS = -10 V (прекъснати линии)
Свързани статии